半導体加速度センサおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001357824
Publication number (International publication number)：2003156509
Application date： Nov. 22, 2001
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】耐衝撃性に優れた半導体加速度センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】センサ本体1は、n形シリコン層からなる支持層101上の埋込絶縁層102上にn形シリコン層からなる活性層103が形成されたSOI基板100’を用いて形成される。撓み部13は、延長方向の両端部が中央部よりも幅広になるように撓み部13の両側面と支持枠11の内周面および重り部12の外周面との間に面取り部26が形成され、上記両端部を除いた部位にゲージ抵抗15が形成されている。面取り部26は、重り部12と支持枠11との間のスリット14を形成する際にあたって、支持層101においてスリット14に対応する部位を埋込絶縁層102に達するまでエッチングした後で、シリコン窒化膜19aをマスクとして、活性層103をTMAHにより異方性エッチングし、その後、埋込絶縁層102を除去することによって形成されている。

Claim (excerpt)：

矩形枠状の支持枠の表裏に貫通する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有する撓み部を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出するゲージ抵抗が撓み部に設けられ入出力用の電極が支持枠の表面側に設けられたセンサ本体と、センサ本体の表面側において前記開口窓を覆うように支持枠に接合された第1のカバーと、センサ本体の裏面側において前記開口窓を覆うように支持枠に接合された第2のカバーとを備え、撓み部は、センサ本体の表面側に設けられ、延長方向の両端部が中央部よりも幅広になるように撓み部の両側面と支持枠の内周面および重り部の外周面との間に面取り部が形成されてなることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/12 , H01L 29/84

FI (2)：

G01P 15/12 , H01L 29/84 A

F-Term (24)：

4M112AA02 , 4M112CA21 , 4M112CA23 , 4M112CA24 , 4M112CA25 , 4M112CA28 , 4M112CA29 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA08 , 4M112DA09 , 4M112DA10 , 4M112DA12 , 4M112DA13 , 4M112DA16 , 4M112DA18 , 4M112EA01 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA10 , 4M112EA11 , 4M112FA01 , 4M112FA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-185205 Applicant：本田技研工業株式会社
加速度計
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-134808 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-357669 Applicant：オムロン株式会社

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