半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003151177
Publication number (International publication number)：2004356314
Application date： May. 28, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】ナノメータースケールのデバイス設計方法が適用可能な半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】1017cm-3以下の不純物濃度の高抵抗領域と該高抵抗領域を挟む第1の高濃度領域と第2の高濃度領域とを持つシリコン柱と、該高抵抗領域上を囲む絶縁体と、該絶縁体を囲む導電体とを有し、該導電体が、それに印加される電圧によって、該第1の高濃度領域と第2の高濃度領域の間に流れる電流を制御し、かつ該第1の高濃度領域と第2の高濃度領域の間に電流が流れている時に、該高抵抗領域を完全空乏化させる仕事関数を持つ材料からなることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

1017cm-3以下の不純物濃度の高抵抗領域と該高抵抗領域を挟む第1の高濃度領域と第2の高濃度領域とを持つシリコン柱と、該高抵抗領域上を囲む絶縁体と、該絶縁体を囲む導電体とを有し、該導電体が、それに印加される電圧によって、該第1の高濃度領域と第2の高濃度領域の間に流れる電流を制御し、かつ該第1の高濃度領域と第2の高濃度領域の間に電流が流れている時に、該高抵抗領域を完全空乏化させる仕事関数を持つ材料からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78

FI (5)：

H01L29/78 626A , H01L29/78 652K , H01L29/78 653D , H01L29/78 301X , H01L29/58 G

F-Term (50)：

4M104AA01 , 4M104BB21 , 4M104BB26 , 4M104BB28 , 4M104BB38 , 4M104CC05 , 4M104FF01 , 4M104GG09 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB04 , 5F110CC10 , 5F110EE05 , 5F110EE11 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG34 , 5F110HJ04 , 5F140AA05 , 5F140AA06 , 5F140AA21 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BF01 , 5F140BF08 , 5F140BF42 , 5F140BF44 , 5F140BF54 , 5F140DB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-181533 Applicant：株式会社東芝
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-185181 Applicant：日本電気株式会社
特開平1-307270

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