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J-GLOBAL ID：200903072885256267

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor：
加藤 波奈子

About 加藤 波奈子

, 
森 寛

About 森 寛

, 
笠倉 暁夫

About 笠倉 暁夫


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 真田 有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008286797
Publication number (International publication number)：2009135485
Application date： Nov. 07, 2008
Publication date： Jun. 18, 2009
Summary：
【課題】パッケージが不要で安価な半導体発光装置を提供する。【解決手段】支持体及び配線を備える配線基板1と、複数の発光部2とを有する半導体発光装置100において、発光部2を、配線基板1上に配置された1つ以上の半導体発光素子21と、配線基板1上に半導体発光素子21を取り囲むように形成された絶縁性の堰22と、配線基板1上の堰22に囲われた領域に形成され半導体発光素子21を封止する封止部23とから構成し、堰22の配線基板1からの高さが封止部23の配線基板1からの高さと略等しいか高くなるようにする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
支持体及び配線を備える配線基板と、複数の発光部とを有する半導体発光装置であって、 前記発光部は、前記配線基板上に配置された1つ以上の半導体発光素子と、前記配線基板上に前記半導体発光素子を取り囲むように形成された絶縁性の堰と、前記配線基板上の前記堰に囲われた領域に形成され前記半導体発光素子を封止する封止部とを備え、 前記堰の前記配線基板からの高さが前記封止部の前記配線基板からの高さと略等しいか高い ことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/28
FI (2)：
H01L33/00 N ,  H01L23/28 D
F-Term (18)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA06 ,  4M109DB08 ,  4M109EA02 ,  4M109EA10 ,  4M109EA12 ,  4M109EC11 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA33 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DA56 ,  5F041DA58
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-340832   Applicant：松下電工株式会社
  • LED装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-148246   Applicant：シャープ株式会社
Cited by examiner (9)
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