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J-GLOBAL ID：200903072950963391

III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子

Inventor：
小池 正好

About 小池 正好

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手銭 雄太

About 手銭 雄太

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山下 弘

About 山下 弘

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永井 誠二

About 永井 誠二


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000071351
Publication number (International publication number)：2001267243
Application date： Mar. 14, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：
【要約】【課題】貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。【解決手段】第1のIII族窒化物系化合物半導体層31を点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングして段差を設け、底部に、第1のIII族窒化物系化合物半導体層31とは異なる層が露出するよう形成する。こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、第2のIII族窒化物系化合物半導体32を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めたのち、上方にも成長させることができる。このとき第2のIII族窒化物系化合物半導体32が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、第1のIII族窒化物系化合物半導体層31が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。
Claim (excerpt)：
基板上にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長により得るIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、少なくとも1層のIII族窒化物系化合物半導体から成り、最上層を第1のIII族窒化物系化合物半導体とする基底層をエッチングにより、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態とし、第1のIII族窒化物系化合物半導体とは異なる層の面を底部に露出させるよう段差を設ける工程と、前記エッチングにより形成された点状、ストライプ状又は格子状等の島状態の前記第1のIII族窒化物系化合物半導体の段差の上段の上面及び側面を核として、第2のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (44)：
5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA63 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045HA02 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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