改善された磁気抵抗比を有する磁気素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001569832
Publication number (International publication number)：2003531476
Application date： Mar. 22, 2001
Publication date： Oct. 21, 2003
Summary：

【要約】改善された新規な磁気素子とその製造方法。固着強磁性層(12;32)、および頂部固着強磁性層(20;40)が、相互に逆平行に製造される。磁気素子(10;30)は、さらに、底部トンネル・バリヤ層(14;34)、自由強磁性層(16;46および48)、および底部固着強磁性層(12;32)と頂部固着強磁性層(20;40)との間に形成されている頂部トンネル・バリヤ層(18;38)を含む。構造体は、一方のトンネル・バリヤ層が正(18)であり、他方のトンネル・バリヤ層が逆(14)である2つのトンネル・バリヤ層を含むか、または、2つのトンネル・バリヤ層が同じタイプ(34;38)である構造体であり、その場合、上記構造体は、さらに、両方のトンネル・バリヤを横切って磁気抵抗比を一定に変化させられる合成反強磁性(SAF)構造体(36)を含む。磁気素子(10;30)は、改善された磁気抵抗比を有し、電圧依存性は低い。

Claim (excerpt)：

頂面および底面を有し、かつ印加磁界が存在する場合に、その磁化の方向が好適な方向に固定される底部固着強磁性層と、頂面および底面を有し、かつ印加磁界が存在する場合に、その磁化の方向が好適な方向に固着される頂部固着強磁性層と、前記底部固着強磁性層および前記頂部固着強磁性層が、相互に逆平行に形成されていることと、前記底部固着強磁性層と前記頂部固着強磁性層との間に形成されている底部トンネル・バリヤ層と、自由強磁性層と、頂部トンネル・バリヤ層とを備える磁気素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G11C 11/15 110 , H01L 27/105 , H01L 43/12

FI (4)：

H01L 43/08 Z , G11C 11/15 110 , H01L 43/12 , H01L 27/10 447

F-Term (1)：

5F083FZ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-342456 Applicant：松下電器産業株式会社
磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-062201 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果素子及び磁気情報検出方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-069581 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (5)

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-342456 Applicant：松下電器産業株式会社
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