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J-GLOBAL ID：200903073089534464

被処理体の熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体

Inventor：
長谷部 一秀

About 長谷部 一秀

, 
周 保華

About 周 保華

, 
金 採虎

About 金 採虎


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005141401
Publication number (International publication number)：2006041481
Application date： May. 13, 2005
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：
【課題】 処理容器内でのドープガスの拡散速度を高く維持しつつドープガス源の交換頻度を抑制してスループットを向上させることが可能な熱処理装置を提供する。【解決手段】 被処理体を収容することができる処理容器Wと、前記被処理体を複数段に亘って支持する保持手段18と、前記処理容器内を真空引きする排気系14と、成膜を行う原料ガスを供給する原料ガス供給手段42と、薄膜中に不純物を導入するためのドープガスを供給するドープガス供給手段46と、前記被処理体を加熱する加熱手段38と、を有する熱処理装置において、前記処理容器内へ希釈ガスを供給するための希釈ガス供給手段のガス供給通路からの希釈ガスと前記ドープガス供給手段のガス供給通路からのドープガスとを混合させて混合ガスを形成するための所定の容量のガス混合タンク66が設けられる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
被処理体を収容することができる処理容器と、 前記被処理体を複数段に亘って支持する保持手段と、 前記処理容器内を真空引きする排気系と、 成膜を行う原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、 薄膜中に不純物を導入するためのドープガスを供給するドープガス供給手段と、 前記被処理体を加熱する加熱手段と、 を有する熱処理装置において、 前記処理容器内へ希釈ガスを供給するための希釈ガス供給手段のガス供給通路からの希釈ガスと前記ドープガス供給手段のガス供給通路からのドープガスとを混合させて混合ガスを形成するための所定の容量のガス混合タンクが設けられていることを特徴とする被処理体の熱処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2)：
H01L21/205 ,  C23C16/455
F-Term (35)：
4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA15 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB04 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB02 ,  5F045EE05 ,  5F045EE14 ,  5F045EE15 ,  5F045EE19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 成膜方法及び成膜装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-381826   Applicant：東京エレクトロン株式会社
Cited by examiner (4)
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