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J-GLOBAL ID：200903092891772138

成膜方法及び成膜装置

Inventor：
熊谷 武司

About 熊谷 武司

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加藤 寿

About 加藤 寿

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李 鎮秀

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真久 眞吾

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菊地 宏之

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Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

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Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002381826
Publication number (International publication number)：2003282566
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器8内に処理ガスを供給して被処理体Wの表面にシリコン含有膜を形成する成膜方法において、前記処理容器内に炭化水素ガスを供給する。これにより、シリコン含有膜中に炭素成分を含ませることができ、もって、比較的低温で成膜を行ってもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくして、クリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。
Claim (excerpt)：
真空引き可能になされた処理容器内に処理ガスを供給して被処理体の表面にシリコン含有膜を形成する成膜方法において、前記処理容器内に炭化水素ガスを供給するようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (3)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/316
FI (3)：
H01L 21/318 B ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/316 X
F-Term (18)：
4K030AA09 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  5F058BA08 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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