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J-GLOBAL ID：200903073113644969

薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置

Inventor：
西浦 篤徳

About 西浦 篤徳


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 家入 健
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007120168
Publication number (International publication number)：2008275937
Application date： Apr. 27, 2007
Publication date： Nov. 13, 2008
Summary：
【課題】蓄積容量素子の占有面積を小さくすることが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、基板1上に形成され、ソース/ドレイン領域を有する半導体層3と、ゲート絶縁膜4と、ゲート電極5と、層間絶縁膜6aと、ソース/ドレイン領域に接続する配線電極71、72と、保護膜8と、配線電極72に接続する画素電極9と、半導体層3より延在して形成された下部容量電極3aと、ゲート電極5と同じ層によって形成され、ゲート絶縁膜4を介して下部容量電極3aの対面に配置された共通配線電極5aと、層間絶縁膜6aより膜厚の薄い誘電体膜(保護膜8)を介して共通配線電極5aの対面に配置された上部容量電極9aと、を備えるものである。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
基板上に形成され、ソース/ドレイン領域を有する半導体層と、 前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層のチャネル領域の対面に配置されるゲート電極と、 前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して、前記ソース/ドレイン領域に接続する配線電極と、 前記配線電極及び前記層間絶縁膜を覆う保護膜と、 前記保護膜を貫通するスルーホールを介して前記配線電極に接続する画素電極と、 前記半導体層より延在して形成された下部容量電極と、 前記ゲート電極と同じ層によって形成され、前記ゲート絶縁膜を介して前記下部容量電極の対面に配置された共通配線電極と、 前記層間絶縁膜より膜厚の薄い誘電体膜を介して前記共通配線電極の対面に配置された上部容量電極と、を備える薄膜トランジスタアレイ基板。
IPC (6)：
G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  G02F 1/136
FI (7)：
G09F9/30 338 ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617M ,  H01L21/88 Z ,  G02F1/1368
F-Term (97)：
2H092GA29 ,  2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA38 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA12 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA25 ,  5C094AA15 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EA10 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH17 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH22 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ22 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM17 ,  5F033MM26 ,  5F033PP15 ,  5F033PP23 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F110AA04 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (10)
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