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J-GLOBAL ID：200903073164650424
III族窒化物半導体レーザ素子
Inventor：
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,
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
佐野 静夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003001255
Publication number (International publication number)：2003273470
Application date： Jan. 07, 2003
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：
【要約】【課題】 基板としてもIII族窒化物半導体を備える窒化物半導体レーザ素子であって、動作特性に優れ、レーザ発振寿命の長いものを提供する。【解決手段】 GaN基板上のIII族窒化物半導体積層構造のうちレーザ光導波領域を、基板を上下方向に貫通する転位集中領域の上方から外れた位置に設けるとともに、積層構造上面および基板下面に設ける電極をそれぞれ転位集中領域の上方および下方から外れた位置に設ける。積層構造上面および基板下面のうち転位集中領域の上方および下方に位置する部位に誘電体層を設けて、これらの部位に電極が接触しないようにする構成もある。
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体より成る基板と、基板の上面に設けられたIII族窒化物半導体より成る積層構造と、積層構造の上面に設けられた電極を備える半導体レーザ素子であって、基板がその下面から上面に達する転位集中領域と転位集中領域を除く部位である低転位領域とを有し、積層構造が基板の低転位領域の上方のみに位置するストライプ状のレーザ光導波領域を有し、電極が基板の低転位領域の上方のみに位置することを特徴とする半導体レーザ素子。
F-Term (11)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA47
, 5F073AA51
, 5F073AA61
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA07
, 5F073EA27
Cited by examiner (5)
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GaN系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-307677
Applicant：三菱電線工業株式会社
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窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-085198
Applicant：日本電気株式会社
-
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-035638
Applicant：シャープ株式会社
-
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-255421
Applicant：株式会社リコー
-
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-068726
Applicant：株式会社リコー
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Article cited by the Patent：
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