半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996255421
Publication number (International publication number)：1998084163
Application date： Sep. 05, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】ヘテロ障壁ΔEcおよびΔEvをともにレーザ発振するために必要なほど大きくできる材料系を提案し、この材料系を用いて、温度特性の良好な赤色半導体レーザ,室温において600nm以下の短波長で発振する可視半導体レーザや、高発光効率の可視発光ダイオードなどの半導体発光素子を提供する。【解決手段】この半導体発光素子は、面方位が(100)面から[011]方向に15°傾いているn-GaAs基板101上に、n-GaAsバッファ層102,n-(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49Pクラッド層103,(Al0.2Ga0.8)0.49In0.51N0.01P0.99活性層104,p-(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49Pクラッド層105,p-GaAsコンタクト層106が、例えばMOCVD法により、順次に形成されたものとなっている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、V族元素としてN(窒素)を含んだIII-V族混晶半導体層を活性層として用いた半導体発光素子において、前記活性層は(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N<SB>z</SB>P<SB>1-z</SB>(0≦x≦1、0≦y≦1、0<z<1)であることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-111530 Applicant：株式会社日立製作所
半導体発光装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-090736 Applicant：信越半導体株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-204768 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page