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J-GLOBAL ID:200903073275317481

表示装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小林 保
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008049885
Publication number (International publication number):2009206437
Application date: Feb. 29, 2008
Publication date: Sep. 10, 2009
Summary:
【課題】 製造の工数を低減できる表示装置の提供。【解決手段】 基板上にp型薄膜トランジスタを備える表示装置であって、 前記p型薄膜トランジスタは、ゲート電極の上面に絶縁膜を介して半導体層が形成され、 前記半導体層の上面に離間部を有して互いに対向配置されるドレイン電極とソース電極とが形成され、前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、p型不純物の拡散層が形成されて構成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上にp型薄膜トランジスタを備える表示装置であって、 前記p型薄膜トランジスタは、 ゲート電極の上面に絶縁膜を介して半導体層が形成され、 前記半導体層の上面に離間部を有して互いに対向配置されるドレイン電極とソース電極とが形成され、 前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、p型不純物の拡散層が形成されて構成されていることを特徴とする表示装置。
IPC (3):
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/134
FI (6):
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616J ,  G02F1/1345
F-Term (47):
2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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