SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶ウエハ及びSiC半導体デバイス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：広瀬章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007265717
Publication number (International publication number)：2009091222
Application date： Oct. 11, 2007
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：

【課題】電子デバイス、光学デバイス用基板材料として好適な炭化珪素単結晶の溶液成長法による製造方法を提供する。【解決手段】Si金属またはSi-M合金(MはSi以外の1種類以上の金属)の融液を溶媒とし、炭素を溶解させたSiC溶液1に、{0001}面から傾斜した結晶面を有するSiC種結晶基板4を浸漬し、温度勾配が5°C/cm以下の温度勾配法、または冷却速度が0.05°C/分以上、1°C/分以下の徐冷法により、少なくとも基板近傍を過冷却により過飽和状態とすることによって該基板上にSiC単結晶を成長させる。結晶成長時の成長界面の面内温度分布における最大温度差が2°C以下とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

Si金属またはSi-M合金(MはSi以外の1種類以上の金属)の融液を溶媒とするSiC溶液にSiC種結晶基板を浸漬し、少なくとも基板近傍を過冷却により過飽和状態とすることによって基板上にSiC単結晶を成長させることからなるSiC単結晶の製造方法であって、SiC種結晶基板が{0001}面から傾斜した結晶面を有するものであり、種結晶基板の近傍が低温となる温度勾配をSiC溶液に形成することにより基板近傍に過飽和状態を創出し、該温度勾配が5°C/cm以下であることを特徴とする、SiC単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 , C30B 19/04 , H01L 21/205

FI (3)：

C30B29/36 A , C30B19/04 , H01L21/205

F-Term (26)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EA01 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EH07 , 4G077FJ06 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA24 , 4G077QA38 , 4G077QA71 , 4G077QA77 , 4G077QA79 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

米国特許5679153号明細書
炭化珪素単結晶とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-105567 Applicant：住友金属工業株式会社
SiC単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-014726 Applicant：トヨタ自動車株式会社

Show all

Cited by examiner (5)

炭化珪素単結晶とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-105567 Applicant：住友金属工業株式会社
SiC単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-014726 Applicant：トヨタ自動車株式会社
特開昭63-156095

Show all

Return to Previous Page