ポジ型レジスト組成物

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部平八
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994286168
Publication number (International publication number)：1996015864
Application date： Oct. 27, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【構成】樹脂成分と、放射線の照射により酸を発生する化合物を含むポジ型レジスト組成物において、前記樹脂成分が(A)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンと(B)水酸基の10〜60モル%が、一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子またはメチル基であり、R2はメチル基またはエチル基であり、R3は低級アルキル基である)で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。【効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、化学増幅型であって、高感度、高解像性で耐熱性及び断面形状の良好なレジストパターンを形成でき、deep-UVやエキシマレーザー用レジストとして好適で、超LSIの製造工程の微細加工に特に有効に使用できる。

Claim (excerpt)：

樹脂成分と、放射線の照射により酸を発生する化合物を含むポジ型レジスト組成物において、前記樹脂成分が(A)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンと(B)水酸基の10〜60モル%が、一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は低級アルキル基である)で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-215662
新規なベンゾピラン誘導体、これを用いたレジスト材料及びこのレジスト材料を用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-183020 Applicant：和光純薬工業株式会社
パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-100310 Applicant：株式会社東芝

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