高出力マイクロ波装置用高抵抗炭化珪素基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998532839
Publication number (International publication number)：2001509768
Application date： Jan. 31, 1997
Publication date： Jul. 24, 2001
Summary：

【要約】炭化珪素から組み立てられ、1500Ω-cmより大きい抵抗を有する、半導体装置用の基板。この基板は、混入された深い準位の不純物を有することを特徴とし、深い準位の不純物要素は、選択される重金属、水素、塩素及びフッ素の1つからなる。選択される重金属は、周期律表のIIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB及びIIB群の金属である。

Claim (excerpt)：

単一のポリタイプ炭化珪素から組み立てられ、少なくとも1500Ω-cmの固有抵抗を有し、深い準位の不純物が混入されてなることを特徴とする半導体装置用の材料組成物。

IPC (4)：

C30B 29/36 , H01L 21/02 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (4)：

C30B 29/36 A , H01L 21/02 B , H01L 21/203 Z , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

高低抗炭化ケイ素の製法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-505534 Applicant：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
特表平3-501118

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

Semi-insulating 6H-SiC grown by physical vapor transport
On the compensation mechanism in high-resistivity 6H-SiC doped with vanadium
Deep level transient spectroscopic and Hall effect investigation of the position of the vanadium acc

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