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J-GLOBAL ID:200903073467820748

近赤外線分光器を利用した金属膜エッチング工程制御方法及び金属膜エッチング工程用エッチャントの再生方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 森田 憲一
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002554789
Publication number (International publication number):2004517486
Application date: Mar. 27, 2001
Publication date: Jun. 10, 2004
Summary:
半導体素子または液晶表示装置素子を製造するための金属膜エッチング工程を制御する方法において、金属膜をエッチングするのに使用されたエッチャントの組成がNIR分光器を利用してまず分析される。エッチャントの状態は分析された組成と基準組成を比較することにより判断される。エッチャントの寿命が終わった場合に前記エッチャントは新しいエッチャントに交換され、そうでない場合に前記エッチャントは次の金属膜エッチング工程に移送される。この分析技術は類似な方式にてエッチャント再生工程に適用されることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
金属膜エッチング工程制御方法において、前記方法は半導体素子または液晶表示装置の製造工程のうち、金属膜をエッチングするのに使用されるエッチャント組成を近赤外線分光器で分析する過程; 前記分析した組成を基準組成と比較して前記エッチャントが使用可能かを判断する過程;及び、 前記エッチャントが、使用不可能の場合は前記エッチャントを新しいエッチャントに交換し、使用可能の場合は次の金属膜エッチング工程で前記エッチャントを使用する過程を含む方法。
IPC (4):
H01L21/306 ,  C23F1/16 ,  C23F1/46 ,  G01N21/35
FI (4):
H01L21/306 F ,  C23F1/16 ,  C23F1/46 ,  G01N21/35 Z
F-Term (37):
2G057AA01 ,  2G057AB02 ,  2G057AB06 ,  2G057AC01 ,  2G057BA05 ,  2G059AA01 ,  2G059AA05 ,  2G059BB04 ,  2G059DD02 ,  2G059DD12 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059GG10 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ01 ,  2G059JJ17 ,  2G059KK01 ,  2G059MM05 ,  4K057WA19 ,  4K057WB05 ,  4K057WB08 ,  4K057WE01 ,  4K057WE02 ,  4K057WE03 ,  4K057WE04 ,  4K057WE08 ,  4K057WE14 ,  4K057WH10 ,  4K057WL10 ,  4K057WM19 ,  4K057WN01 ,  5F043AA22 ,  5F043BB15 ,  5F043EE23 ,  5F043EE33 ,  5F043GG02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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