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J-GLOBAL ID：200903073470415226

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
松浦 修武

About 松浦 修武

, 
丸山 研二

About 丸山 研二


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002235847
Publication number (International publication number)：2004079675
Application date： Aug. 13, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：
【課題】強誘電体膜に高い配向性を確保することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上にMOSトランジスタ14を形成した後、全面にIr膜25、LT膜26a、PZT膜26b及びIrO2膜27を順次形成する。LT膜26a自体は強誘電体膜ではないが、LT膜26a及びPZT膜26bの積層膜から強誘電体膜26が構成される。このような強誘電体膜26を有する強誘電体キャパシタにおいては、LT膜26aがPbを含有していないため、その成膜の際に配向性を容易に制御することが可能であり、配向性の高いLT膜26aを形成することができる。また、LT膜26aの結晶構造はPZT膜26bと同様に、ペロブスカイト型構造である。そして、このようなLT膜26aの上に、PZT膜26bを形成しているので、PZT膜26bの成長の際にLT膜26aの配向が引き継がれ、高い配向性のPZT膜26bが得られる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
半導体基板と、 前記半導体基板の上方に形成された下部電極及び上部電極と、 前記下部電極と前記上部電極との間に挟まれ、ペロブスカイト型構造の結晶構造を備えた強誘電体膜とを有し、 前記強誘電体膜は、 前記下部電極と接し、Laを含有するLa含有領域と、 前記La含有領域上に存在し、Pbを含有するPb含有領域と、 を有し、 前記La含有領域の最下面におけるLa濃度が、前記Pb含有領域の最上面におけるLa濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L27/105 ,  H01L41/187
FI (2)：
H01L27/10 444B ,  H01L41/18 101D
F-Term (20)：
5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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