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J-GLOBAL ID：200903073707144001

半導体メモリ素子及びその製造方法

Inventor： 末永 和史 ,  尾形 潔 ,  堀越 和彦 ,  田中 順 ,  吉住 圭一 ,  加藤 久幸 ,  安部 寿彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999100979
Publication number (International publication number)：1999354729
Application date： Apr. 08, 1999
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】高い残留分極値や小さい膜疲労を有する高性能な強誘電体キャパシタを実現し、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を提供する。【解決手段】強誘電体薄膜キャパシタをメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、キャパシタ中における強誘電体薄膜12の結晶粒径の相対標準偏差を13%以下にすることにより、高い残留分極値や小さい膜疲労(大きい書き換え可能回数)を得ることを可能とし、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を実現する。

Claim (excerpt)：

強誘電体薄膜コンデンサをメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、該コンデンサは、少なくとも下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極の積層構造からなり、該強誘電体薄膜の膜厚方向を法線とした面内において、平均結晶粒径が80nm以上であり、かつ該結晶粒径の相対標準偏差が13%以下の範囲内にあることを特徴とする半導体メモリ素子。

IPC (6)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-155921   Applicant：松下電子工業株式会社
• 強誘電体キャパシタの作製方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181358   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 強誘電体結晶薄膜の製造方法及び強誘電体キャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-098486   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-053298   Applicant：株式会社日立製作所
• 強誘電体キャパシタ、配線、半導体装置及びこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-054140   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社