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J-GLOBAL ID：200903073524918407

アセン化合物誘導体薄膜の製造方法

Inventor：
南方 尚

About 南方 尚


Applicant, Patent owner：
旭化成株式会社

About 旭化成株式会社


Agent (1)： 谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002324376
Publication number (International publication number)：2004158719
Application date： Nov. 07, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：
【課題】本発明は、平坦性に優れ、欠陥のない高結晶性の有機半導体薄膜を提供すること、および、該薄膜を用いた電子特性の優れた有機半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、式(1)で示されるアセン化合物誘導体の蒸気を基板に蒸着させてなる結晶性アセン化合物誘導体有機半導体薄膜であり、該薄膜において式(1)の分子の長軸を基板面に垂直方向に配向されたことを特徴とするアセン化合物誘導体薄膜の製造方法である。本発明は、さらに該製造方法で得られたアセン化合物誘導体薄膜を用いた有機半導体素子を提供する。【化1】【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
結晶性アセン化合物誘導体有機半導体薄膜の製造方法であって、アセン化合物が式(1)で示されるアセン化合物誘導体であり、該薄膜が該アセン化合物誘導体の蒸気を基板に蒸着させて形成されるものであり、該薄膜において式(1)の分子の長軸が基板面に垂直方向に配向されたことを特徴とするアセン化合物誘導体薄膜の製造方法。
IPC (7)：
H01L51/00 ,  H01L21/331 ,  H01L29/47 ,  H01L29/73 ,  H01L29/786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872
FI (5)：
H01L29/28 ,  H01L29/91 G ,  H01L29/48 D ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/72
F-Term (55)：
2G046AA01 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046DC14 ,  2G046DD01 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA09 ,  2G046FA01 ,  2G046FE00 ,  2G046FE03 ,  2G046FE13 ,  2G046FE15 ,  2G046FE27 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE44 ,  2G046FE48 ,  2G060AA01 ,  2G060AA05 ,  2G060AA07 ,  2G060AE10 ,  2G060AF20 ,  2G060BB04 ,  2G060JA01 ,  2G060JA06 ,  4M104AA10 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104HH12 ,  5F003BM10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110NN73
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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