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J-GLOBAL ID：200903073611476275

窒化物半導体素子

Inventor：
長濱 慎一

About 長濱 慎一

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998097134
Publication number (International publication number)：1999298090
Application date： Apr. 09, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：
【要約】【目的】 主としてレーザ素子の出力の向上と、発振閾値を低下させて素子の長寿命化を実現する。【構成】 n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記活性層の井戸層はアンドープであり、前記障壁層にn型不純物がドープされているか、あるいは、前記多重量子井戸構造は、p側の窒化物半導体に接近した側が障壁層で終わっており、少なくとも最後の井戸層がアンドープで、最後の障壁層にn型不純物がドープされている。
Claim (excerpt)：
n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記活性層の井戸層はアンドープであり、前記障壁層にn型不純物がドープされていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 31/10 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
  • 窒化ガリウム系半導体光発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-213412   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-243681   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開昭62-051282
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