酸化セリウム研磨剤、半導体チップ、それらの製造法及び基板の研磨法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富田和子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000327883
Publication number (International publication number)：2001189291
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】グローバルな平坦化が可能で、かつ、微細な配線間の埋め込み性が良好で誘電率の低い有機SOG膜、有機高分子樹脂膜の絶縁膜を研磨する。【解決手段】次の酸化セリウム粒子を水に分散させたスラリーを含む研磨剤。(1)炭酸セリウム分散水溶液に過酸化水素を添加して得られる酸化セリウム粒子。(2)硝酸セリウム水溶液に炭酸水素アンモニウムを添加して得られた沈殿物を過酸化水素で酸化して得た酸化セリウム粒子。(3)硝酸アンモニウムセリウム水溶液を中性又はアルカリ性にして得られる酸化セリウム粒子。

Claim (excerpt)：

水中に酸化セリウム粒子を分散させたスラリーを含む、所定の基板上に設けられた絶縁膜を研磨する酸化セリウム研磨剤。

IPC (5)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , H01L 21/3205

FI (6)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 Q , B24B 37/00 H , B24B 37/00 Z , C09K 3/14 550 D , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-055315
特表昭63-502656
酸化物粒子及びその製造法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-505280 Applicant：ロデールインコーポレーテッド

Show all

Return to Previous Page