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J-GLOBAL ID：200903073746784310
半導体ディスク装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994095126
Publication number (International publication number)：1995302176
Application date： May. 09, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】フラッシュEEPROMに対するライトアクセス速度の向上を図る。【構成】NANDバスインタフェース19は、フラッシュEEPROM11-1〜11-16それぞれからの16本のレディー/ビジー信号を独立して受信し、フラッシュEEPROM毎に動作状態を管理する。このため、全てのフラッシュEEPROM11-1〜11-16の動作完了を待つことなく、ライトアクセス対象のフラッシュEEPROMがレディー状態になりさえすれば、そのライトアクセス対象のフラッシュEEPROMに対するライトアクセスを開始する事ができる。また、各フラッシュEEPROMはライト動作を自動実行可能なコマンド制御タイプのものであるので、あるフラッシュEEPROMのデータ書き込み動作期間中に別のフラッシュEEPROMに対するライトアクセスを行うことが可能になり、複数のフラッシュEEPROMを並行して動作させる事ができる。
Claim (excerpt)：
外部からのライトコマンドに応じてデータ書込み動作を自動実行し、そのデータ書込み動作期間中にはビジーステートのレディー/ビジー信号を発生する複数のフラッシュEEPROMを内蔵し、ホスト装置からのディスクアクセス要求に応じてそれら複数のフラッシュEEPROMをアクセスする半導体ディスク装置において、前記ホスト装置から転送されるライトデータを格納するデータバッファと、前記複数のフラッシュEEPROMから出力される複数のレディー/ビジー信号をそれぞれ受信する複数の入力ポートを有し、それらレディー/ビジー信号に応じて前記複数のフラッシュEEPROMそれぞれのレディー/ビジー状態を示す複数のステータスデータを保持するレディー/ビジー管理手段と、前記ホスト装置からのライトアクセス要求に応じて、前記複数のフラッシュEEPROMをライトアクセスするライトアクセス手段とを具備し、このライトアクセス手段は、前記ディスクアクセス要求によって指定されたライトアクセス対象のフラッシュEEPROMに対応するステータスデータを参照して、前記ライトアクセス対象フラッシュEEPROMがレディー状態か否かを決定する手段と、前記ライトアクセス対象フラッシュEEPROMがレディー状態であることが決定された際、前記ライトアクセス対象フラッシュEEPROMにライトコマンドを発行してデータ書込み動作を実行させる手段とを具備することを特徴とする半導体ディスク装置。
IPC (4)：
G06F 3/08
, G06F 3/06 302
, G11C 11/406
, G11C 16/06
G11C 11/34 363 K
, G11C 17/00 510 Z
