Pat
J-GLOBAL ID:200903073788114829
発光装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高島 一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998342124
Publication number (International publication number):2000174346
Application date: Dec. 01, 1998
Publication date: Jun. 23, 2000
Summary:
【要約】【課題】 青色光、紫外線などの波長450nm以下の短い波長の光により蛍光体が十分に励起されて高輝度の発光が得られる発光装置を提供すること。【解決手段】 波長450nm以下のレーザ光L1を発するGaN系半導体レーザ1を励起光源として用い、レーザ光L1で励起されて可視域の蛍光L2を発するよう、蛍光体2を前記レーザ1と組み合わせる。また、励起光源にGaN系LEDを用いる場合には、LEDを構成するGaN系結晶層からなる積層体に上面から凹部を設け、該凹部の内部側面に発光層の発光部分を露出させ、凹部内に蛍光体を配置する構成とする。
Claim (excerpt):
波長450nm以下のレーザ光を発するGaN系半導体レーザを励起光源として有し、該励起光源からの前記レーザ光によって励起されて可視域の蛍光を発するよう、蛍光体が前記励起光源と組み合わされた構成を有することを特徴とする発光装置。
FI (2):
H01L 33/00 L
, H01L 33/00 C
F-Term (10):
5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CB03
, 5F041CB15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
-
発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-192406
Applicant:日本酸素株式会社
-
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-106873
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
発光素子および電子線励起レーザー
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-217232
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体素子及び半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-038118
Applicant:株式会社東芝
-
発光素子及び発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-315971
Applicant:松下電子工業株式会社
-
3族窒化物半導体表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-338116
Applicant:豊田合成株式会社
-
単色LEDを用いた全色画像表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-211299
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
-
面型光デバイス、その製造方法、および表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-268950
Applicant:キヤノン株式会社
-
ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-006370
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-006053
Applicant:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
Show all
Return to Previous Page