窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997106873
Publication number (International publication number)：1998303493
Application date： Apr. 24, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体を用いたレーザ光源の寿命を向上させる。【構成】レーザ素子のゲインを得る媒質の距離を100μm以下とすると、ゲインが飽和しない。そのため、例えば共振器長を100μm以下とするファブリ・ペロー型のInGaNを活性層とするダブルへテロ構造のレーザ素子では、出力が大幅に向上し、さらに寿命も長くなる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体を用いたレーザ素子であって、レーザ素子のゲインを得る媒質の距離が100μm以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-025069 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-273877 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-082869 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page