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J-GLOBAL ID：200903081769406420

半導体素子及び半導体素子の製造方法

Inventor： 板谷 和彦 ,  山本 雅裕 ,  小野村 正明 ,  藤本 英俊 ,  波多腰 玄一 ,  菅原 秀人 ,  石川 正行 ,  ジョン・レニー ,  斎藤 真司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996038118
Publication number (International publication number)：1997129984
Application date： Feb. 26, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザ等における共振器ミラーを容易に形成することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 立方晶型を有する半導体基板または半導体層をナイトライド系発光層または素子部分に接着または成長して、立方晶型を有する半導体基板の自然へき開性を用いてミラーを形成するものである。また、サファイヤなど、ナイトライド系発光層を成長させるために用いた成長基板は、AlNなどの層を挿入し、エッチング、リフトオフし、基板に導電性のものにすることにより直列抵抗を減少させ、かつ信頼性をも向上させたものである。

Claim (excerpt)：

六方晶型の半導体からなる素子部を有する半導体素子において、立方晶型の結晶部を前記素子部と一体にして備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-148470   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-184304
  
• 量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314770   Applicant：旭化成工業株式会社
• III-V族化合物半導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-315101   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭58-138086
  
• 特開昭62-122119
  
• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-049729   Applicant：富士通株式会社
• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-215625   Applicant：ローム株式会社