半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002135301
Publication number (International publication number)：2003332340
Application date： May. 10, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】配線溝の上端角部が削れることなく埋込み配線を形成する。【解決手段】絶縁膜27上に絶縁膜28、29および30とフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンをエッチングマスクとして絶縁膜30を除去し、開口部32を形成する。フォトレジストパターンを除去し、絶縁膜30をエッチングマスクとして開口部32から露出する絶縁膜29を除去し、絶縁膜33、34、35および36とフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンをエッチングマスクとして絶縁膜34、35および36を選択的に除去し、開口部38を形成する。開口部38から露出する絶縁膜33をエッチングしかつ開口部38の底部で開口部32から露出した絶縁膜28をエッチングしながら、フォトレジストパターンを除去する。絶縁膜36と開口部32から露出する絶縁膜27を除去した後、開口部32および38内に銅配線を形成する。

Claim (excerpt)：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;(a)半導体基板を準備する工程、(b)前記半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程、(c)前記第1の絶縁膜上に、低誘電率材料からなる第2の絶縁膜を形成する工程、(d)前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成する工程、(e)前記第3の絶縁膜上に第4の絶縁膜を形成する工程、(f)前記第4の絶縁膜上にマスクパターンを形成する工程、(g)前記マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記第4の絶縁膜を選択的に除去して第1の開口部を形成する工程、(h)前記第1の開口部から露出する前記第3の絶縁膜を除去する工程、(i)前記第1の開口部から露出する前記第2の絶縁膜と、前記マスクパターンとを除去する工程、(j)前記第1の開口部内に配線を形成する工程。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 K , H01L 21/90 J

F-Term (55)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK23 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN06 , 5F033PP06 , 5F033QQ00 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ90 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033XX24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

多層配線の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-339279 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-159545 Applicant：株式会社日立製作所
集積回路およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-106473 Applicant：エスティマイクロエレクトロニクス

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