半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999349630
Publication number (International publication number)：2001044189
Application date： Dec. 09, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】配線間容量を低減するために配線間の層間絶縁膜にキセロゲルもしくはフッ素樹脂を用いた際の問題点、ミスアライメントを生じた場合の問題点等を解決して信頼性の高い配線構造を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】キセロゲル膜もしくはフッ素樹脂膜を含む層間絶縁膜12を備えた半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜12の下層を有機膜で形成し、層間絶縁膜12の上層をキセロゲル膜もしくはフッ素樹脂膜で形成した層間絶縁膜12上に、その層間絶縁膜12をエッチングしてビアコンタクトホール26を形成する際のエッチングマスクとなる第1のマスク25を形成する工程と、第1のマスク21上に層間絶縁膜12をエッチングして配線溝27を形成する際のエッチングマスクとなるもので第1のマスク25とは材質の異なる第2のマスク21を形成する工程とを備えた製造方法である。

Claim (excerpt)：

キセロゲル膜もしくは有機膜を含む層間絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜上にその層間絶縁膜をエッチングする際のエッチングマスクとなる第1のマスクを形成する工程と、前記第1のマスク上に前記層間絶縁膜をエッチングする際のエッチングマスクとなるもので前記第1のマスクとは材質の異なる第2のマスクを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

F-Term (8)：

5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AD05 , 5F058AD09 , 5F058AD12 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

配線構造体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-075519 Applicant：松下電器産業株式会社
ダミーバイアスを使用した高速LSI半導体の金属配線の改善方法および半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-178925 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-098284 Applicant：ソニー株式会社

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Cited by examiner (1)

配線構造体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-075519 Applicant：松下電器産業株式会社

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