ウエハレベルチップスケールパッケージ製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005162845
Publication number (International publication number)：2006005343
Application date： Jun. 02, 2005
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

【課題】パッケージスタック用ウエハレベルチップスケールパッケージを製造する方法を提供する。【解決手段】第1面35及び第2面39と、前記第1面にチップパッドを有する複数の集積回路チップ34と、前記集積回路チップ間を走るスクライブレーン36とを有するウエハ30を備える段階と、前記ウエハの第1面に前記チップパッドを貫通する孔を形成する段階と、前記ウエハの第1面に前記孔の内面を覆うベース金属層41を形成する段階と、前記孔を充填して前記チップパッドに電極金属層42を形成する段階と、前記ウエハの第2面を研磨し、前記電極金属層を前記ウエハの第2面を介して露出する段階と、前記ウエハ第2面を介して露出した前記電極金属層にメッキバンプ43を形成する段階と、前記電極金属層間に位置するベース金属層を除去する段階と、前記スクライブレーンに沿って前記ウエハを分離する段階とを含む。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

第1面及び第2面と、前記第1面にチップパッドを有する複数の集積回路チップと、前記集積回路チップ間を走るスクライブレーンとを有するウエハを備える段階と、前記ウエハの第1面に前記チップパッドを貫通する孔を形成する段階と、前記ウエハの第1面に前記孔の内面を覆うベース金属層を形成する段階と、前記孔を充填して前記チップパッドに電極金属層を形成する段階と、前記ウエハの第2面を研磨し、前記電極金属層を前記ウエハの第2面を介して露出する段階と、前記ウエハ第2面を介して露出した前記電極金属層にメッキバンプを形成する段階と、前記電極金属層間に位置するベース金属層を除去する段階と、前記スクライブレーンに沿って前記ウエハを分離する段階と、を含むことを特徴とするウエハレベルチップスケールパッケージ製造方法。

IPC (4)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (4)：

H01L23/12 501P , H01L21/92 604B , H01L21/88 T , H01L21/88 J

F-Term (21)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033MM05 , 5F033MM30 , 5F033NN01 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ47 , 5F033TT07 , 5F033VV07 , 5F033XX13 , 5F033XX14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-007277 Applicant：セイコーエプソン株式会社
CSPタイプの半導体装置とその作製方法、および半導体モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-369121 Applicant：大日本印刷株式会社
バンプ接点の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-033809 Applicant：住友金属鉱山株式会社

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