Pat
J-GLOBAL ID:200903089541088659
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井上 一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003007277
Publication number (International publication number):2003347474
Application date: Jan. 15, 2003
Publication date: Dec. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高品質な貫通電極を形成することにある。【解決手段】 半導体基板10に第1の面20から凹部22を形成する。凹部22の底面及び内壁面に絶縁層28を設ける。絶縁層28の内側に導電部30を設ける。半導体基板10に対するエッチング量が絶縁層28に対するエッチング量よりも多くなる性質の第1のエッチャントによって、半導体基板10の第2の面38をエッチングし、絶縁層28にて覆われた状態で導電部30を突出させる。導電部30に残留物を形成することなく少なくとも絶縁層28をエッチングする性質の第2のエッチャントによって、絶縁層28のうち少なくとも凹部22の底面に形成された部分をエッチングして導電部30を露出させる。
Claim (excerpt):
(a)集積回路が形成された半導体基板に第1の面から凹部を形成し、(b)前記凹部の底面及び内壁面に絶縁層を設け、(c)前記絶縁層の内側に導電部を設け、(d)前記半導体基板に対するエッチング量が前記絶縁層に対するエッチング量よりも多くなる性質の第1のエッチャントによって、前記半導体基板の前記第1の面とは反対側の第2の面をエッチングし、前記絶縁層にて覆われた状態で前記導電部を突出させ、(e)前記導電部に残留物を形成することなく少なくとも前記絶縁層をエッチングする性質の第2のエッチャントによって、前記絶縁層のうち少なくとも前記凹部の前記底面に形成された部分をエッチングして前記導電部を露出させることを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 23/12 501
, H01L 21/3205
FI (2):
H01L 23/12 501 P
, H01L 21/88 J
F-Term (32):
5F033HH08
, 5F033JJ04
, 5F033JJ11
, 5F033JJ19
, 5F033JJ23
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033LL04
, 5F033MM05
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033MM30
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP26
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ07
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ15
, 5F033QQ20
, 5F033QQ35
, 5F033QQ53
, 5F033QQ54
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR22
, 5F033TT07
, 5F033VV07
, 5F033XX00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-226502
Applicant:株式会社東芝
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特開昭60-007148
-
プラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-000466
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体装置の製造方法およびパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-087271
Applicant:株式会社東芝
-
マルチチップ半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-151799
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-245855
Applicant:ローム株式会社
-
ウエハーの分割方法、半導体デバイス、および半導体デバイスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-209093
Applicant:キヤノン株式会社
-
特開昭60-007149
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-143609
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
集積回路及びその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-520556
Applicant:トルーサイ・テクノロジーズ・エルエルシー
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