半導体シリコン基板の面取り部研磨方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994247235
Publication number (International publication number)：1996085051
Application date： Sep. 14, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】裏面に酸化シリコン層を有する半導体シリコン基板において、前記酸化シリコン層のエッジレリーフと面取り部の鏡面研磨とを同時に実施できるようにする。【構成】研磨装置に取り付けられて回転するバフ2の軸心に対して半導体シリコン基板1を所定の面取り角θだけ傾けて回転させつつバフ2に押しつけ、一側の面取り部を鏡面研磨した後、前記基板1を反転させて他側の面取り部を鏡面研磨する。使用する研磨液は、コロイダルシリカの平均粒子径を50〜150nm、pHを10〜11、20°Cにおける比重を1〜1.5、濃度を30〜50wt%とし、砥粒の径と数を増すことにより、化学的研磨よりも機械的研磨を主体とする。これにより、従来から困難とされていた酸化シリコン層のエッジ部分の除去が可能となる。バフの外周に前記基板の面取り部形状と一致する溝を設け、この溝に前記基板を押し付けて両面を同時に研磨してもよい。

Claim (excerpt)：

酸化シリコン層および/またはエクストリンシックゲッタリング層を有する半導体シリコン基板周縁の面取り部を鏡面研磨する半導体シリコン基板の面取り部研磨において、半導体シリコン基板をバフとを回転させつつ前記シリコン基板の周縁部をバフに押し付け、研磨部分にコロイダルシリカを含む研磨液を供給しつつ前記面取り部を鏡面研磨することを特徴とする半導体シリコン基板の面取り部研磨方法。

IPC (5)：

B24B 9/00 , B24B 1/00 , B24B 37/00 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体ウエハポリッシング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-145196 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置とその製造方法および研磨方法ならびに研磨装置および研磨装置の研磨面の再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-284118 Applicant：株式会社東芝
半導体基板の研磨方法とこれを用いた半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-005818 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社

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