薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000020819
Publication number (International publication number)：2001223359
Application date： Jan. 28, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。【解決手段】多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜に注入する。その後溶融結晶化を行う。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された結晶性半導体膜を半導体装置のチャンネル形成領域として活用している薄膜半導体装置の製造方法に於いて、基板上に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、該半導体膜に希ガス元素イオンを打ち込むイオン注入工程と、該イオン注入工程後に該半導体膜を溶融結晶化させる結晶性半導体膜形成工程とを含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 618 Z

F-Term (35)：

5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052JA04 , 5F052JA10 , 5F110AA01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF31 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG47 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ22 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-082319 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平3-022540
低温ポリシリコンTFTの製造プロセスにおけるポリシリコン膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-001949 Applicant：松下電器産業株式会社

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