Pat
J-GLOBAL ID:200903074135664579
コバルト酸化物粒子粉末及びその製造法、非水電解質二次電池用正極活物質及びその製造法並びに非水電解質二次電池
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002156224
Publication number (International publication number):2004002066
Application date: May. 29, 2002
Publication date: Jan. 08, 2004
Summary:
【課題】本発明は、二次電池としての初期放電容量を維持し、且つ、高温下での充放電サイクル特性が改善された非水電解質二次電池を得ることができる正極活物質及び該正極活物質の前駆体であるコバルト酸化物粒子粉末を提供する。【解決手段】Ni、Al、Fe、Ti、Caから選ばれる一種又は二種以上の異種金属元素を含有するコバルト酸化物粒子粉末は、コバルト塩とNi、Al、Fe、Ti、Caから選ばれる一種又は二種以上の異種金属元素の塩とを含有する溶液をアルカリ水溶液により中和し、次いで、酸化反応を行って得ることができる。該コバルト酸化物粒子粉末とリチウム化合物とを混合し、熱処理して得られる正極活物質は、前記異種金属元素を含有するコバルト酸リチウム粒子粉末であり、平均粒子径が1.0〜20μmであり、c軸の格子定数が0.177x+14.051(Å)で示される値以上である。
Claim (excerpt):
Ni、Al、Fe、Ti、Caから選ばれる一種又は二種以上の異種金属元素を含有するコバルト酸化物粒子粉末であり、組成(Co(1-x)Mx)3O4(0.001≦x≦0.15、MはNi、Al、Fe、Ti、Caから選ばれる一種又は二種以上の異種金属元素である。)であって、BET比表面積値が0.5〜50m2/g、平均粒子径が0.01〜0.1μmであることを特徴とするコバルト酸化物粒子粉末。
IPC (5):
C01G51/00
, C01G53/00
, H01M4/02
, H01M4/58
, H01M10/40
FI (6):
C01G51/00 A
, C01G51/00 B
, C01G53/00 A
, H01M4/02 C
, H01M4/58
, H01M10/40 Z
F-Term (48):
4G048AA03
, 4G048AA05
, 4G048AB02
, 4G048AB04
, 4G048AC06
, 4G048AD04
, 4G048AD06
, 4G048AE05
, 5H029AJ03
, 5H029AJ05
, 5H029AK03
, 5H029AL07
, 5H029AL12
, 5H029AM03
, 5H029AM04
, 5H029AM05
, 5H029AM07
, 5H029CJ02
, 5H029CJ08
, 5H029CJ11
, 5H029CJ14
, 5H029EJ04
, 5H029EJ12
, 5H029HJ02
, 5H029HJ05
, 5H029HJ07
, 5H029HJ10
, 5H029HJ13
, 5H050AA07
, 5H050AA08
, 5H050BA16
, 5H050BA17
, 5H050CA08
, 5H050CB08
, 5H050CB12
, 5H050EA10
, 5H050EA24
, 5H050FA18
, 5H050GA02
, 5H050GA10
, 5H050GA11
, 5H050GA15
, 5H050GA22
, 5H050HA02
, 5H050HA05
, 5H050HA07
, 5H050HA10
, 5H050HA13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
-
非水電解質二次電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-099616
Applicant:三洋電機株式会社
-
四酸化三コバルトの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-254111
Applicant:石原産業株式会社
-
リチウムイオン二次電池、そのための正極活物質及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-212819
Applicant:本荘ケミカル株式会社
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Article cited by the Patent:
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