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J-GLOBAL ID：200903074176723040

薄膜圧電共振器及びその製造方法

Inventor： 安本 恭章 ,  梁瀬 直子 ,  板谷 和彦 ,  佐野 賢也 ,  尾原 亮一 ,  阿部 和秀 ,  長野 利彦 ,  西垣 亨彦 ,  川久保 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (7)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004224791
Publication number (International publication number)：2006050021
Application date： Jul. 30, 2004
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：

【課題】 圧電体膜の厚み方向の配向特性が良好で、且つスプリアス振動がなく、高い電気機械結合係数kt2及び機械的品質係数Qmを持つ薄膜圧電共振器を提供する。【解決手段】 貫通したキャビティ21を有する基板11;基板11上においてキャビティ21を囲む位置に配置された中間絶縁膜12;中間絶縁膜12上に選択的に配置された非晶質下地膜13a,13b;非晶質下地膜13a,13bに底面の一部のみを接した下部電極14;下部電極14の上面に配置された圧電体膜15;圧電体膜15上の上部電極16;下部電極14の一部に接続される下部電極配線17;上部電極16の一部に接続される上部電極配線18;上部電極配線18、上部電極16,上部電極16から露出した圧電体膜15、下部電極14の上面を被覆するパッシベーション膜19とを備える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

キャビティを有する基板と、 該基板上の前記キャビティを囲む位置に配置された中間絶縁膜と、 前記中間絶縁膜上に選択的に配置された非晶質下地膜と、 該非晶質下地膜に底面の一部のみを接した下部電極と、 該下部電極上に配置された圧電体膜と、 該圧電体膜上の上部電極 とを備え、前記圧電体膜の厚み方向のバルク振動を利用することを特徴とする薄膜圧電共振器。

IPC (6)：

H03H 9/17 ,  H03H 3/02 ,  H03H 3/04 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/18

FI (6)：

H03H9/17 F ,  H03H3/02 B ,  H03H3/04 B ,  H01L41/08 C ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101Z

F-Term (13)：

5J108AA01 ,  5J108AA02 ,  5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108DD01 ,  5J108DD06 ,  5J108DD07 ,  5J108KK01 ,  5J108KK07 ,  5J108MM11 ,  5J108NA04 ,  5J108NB01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 高周波フィルタ、高周波回路、アンテナ共用器及び無線端末
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-025775   Applicant：株式会社日立メディアエレクトロニクス
• 電子部品の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-068215   Applicant：富士通株式会社, 富士通メディアデバイス株式会社

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-076913
  
• 薄膜圧電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-289804   Applicant：三菱電機株式会社
• 圧電体薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-044815   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭62-076913