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J-GLOBAL ID：200903074247942636

半導体素子およびその製造方法

Inventor： 平野 光 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001001751
Publication number (International publication number)：2002208724
Application date： Jan. 09, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 大面積にわたって低欠陥密度の半導体膜を用いた半導体素子であって、基板による光の吸収および散乱の影響を排除した半導体素子を提供する【解決手段】 半導体素子が、部分的に内部に後退した第1凹部10が表面に形成された結晶成長面上に成長された窒化物半導体からなる第1半導体層3であって、隣り合う上記第1凹部10の中間位置の上方の上記第1半導体層3の表面に、部分的に内部に後退した第2凹部11が形成された第1半導体層3と、上記第1半導体層3上に成長され、上記第1半導体層3と同じ材料からなる単層または複数層の第2半導体層4とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記第1半導体層3の原子配列構造が同じである。

Claim (excerpt)：

部分的に内部に後退した第1凹部が表面に形成された結晶成長面上に成長された窒化物半導体からなる単層または複数層の第2半導体層を備えてなり、前記結晶成長面において、前記結晶成長面の原子配列構造と前記半導体層の原子配列構造が同じであり、前記結晶成長面を有していた基板を除去してなることを特徴とする半導体素子。

IPC (8)：

H01L 31/10 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/861 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/20

FI (8)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K ,  H01L 29/91 F

F-Term (64)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD79 ,  4M104FF17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104GG06 ,  4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA02 ,  5F045CA13 ,  5F045HA03 ,  5F049MA02 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MA07 ,  5F049MA13 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NB10 ,  5F049PA04 ,  5F049PA20 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS03 ,  5F049WA03 ,  5F052GC01 ,  5F052GC03 ,  5F052JA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-335591   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-322132   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-331797   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 火炎センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-351692   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• パソコンの机上用収納台
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-057247   Applicant：イナバインターナショナル株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-071467   Applicant：三菱電線工業株式会社