Pat

J-GLOBAL ID：200903008391345895

窒化物半導体素子

Inventor： 長濱 慎一 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999331797
Publication number (International publication number)：2000299497
Application date： Nov. 22, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 GaN基板上に成長させるデバイス構造に微細なクラックが発生することを防止し、寿命特性などの素子特性を向上させ、信頼性の更なる向上が可能な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 GaN基板上に、GaNより熱膨張係数の小さい窒化物半導体[Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)]を成長させ、その上にデバイス構造を形成させてなる。

Claim (excerpt)：

GaN基板上に、GaNより熱膨張係数の小さい窒化物半導体を成長させ、その上にデバイス構造を形成させてなる窒化物半導体素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-025003   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-270375   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238553   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-350701   Applicant：三菱電線工業株式会社
• エピタキシャル成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-198305   Applicant：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-074779   Applicant：シャープ株式会社