磁気素子とそれを用いた磁気部品および電子部品

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998039344
Publication number (International publication number)：1999238925
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】大きな磁気抵抗変化率および小さい飽和磁界を有し、かつ微細素子形状に加工しても抵抗値が小さい磁気素子が求められている。【解決手段】誘電体層12、14で挟持された少なくとも 1層の強磁性層13(または誘電体で分断された強磁性層)と、誘電体層12、14を介して強磁性層13(または誘電体で分断された強磁性層)と積層配置された第1および第2の金属層11、15とを有する積層膜を具備し、第1および第2の金属層11、15のうち少なくとも一方は強磁性体からなり、かつ前記積層膜は強磁性層13(または誘電体で分断された強磁性層)に形成された離散準位を介してスピン偏極トンネル効果を示すものである。この磁気素子は例えば室温下で 30%以上の磁気抵抗変化率を示す。

Claim (excerpt)：

少なくとも 1層の強磁性層と、前記強磁性層を挟持するように配置された誘電体層と、前記誘電体層を介して前記強磁性層と積層配置された第1および第2の金属層とを有する積層膜を具備し、前記第1および第2の金属層のうち少なくとも一方は強磁性体からなり、かつ前記積層膜は前記強磁性層に形成された離散準位を介してスピン偏極トンネル効果を示すことを特徴とする磁気素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/12

FI (3)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-189366 Applicant：株式会社東芝
磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-062201 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-011034 Applicant：株式会社東芝

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