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J-GLOBAL ID:200903074284425790
液晶パネルおよび液晶パネル用基板並びに投射型表示装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996190847
Publication number (International publication number):1998039332
Application date: Jul. 19, 1996
Publication date: Feb. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体を基板とする反射型液晶パネル(LCD)においては、デバイスサイズの縮小に応じて各画素のサイズも小さくなるため、画素電極のみでは液晶の駆動に必要な電圧を保持するのに充分な容量が得られない。【解決手段】 反射電極となる画素電極(14)の下方に各画素毎に保持容量を構成する導電層(9)を形成し、この導電層の下方または上方に絶縁膜を介して前記保持容量の他方の端子となる半導体領域(8)または他の導電層(19)を形成し、上記導電層は画素電極を駆動するトランジスタ(MOSFET)に電気的に接続させるとともに上記半導体領域または他の導電層はコモン電位近傍あるいは上記反射電極に印加される電圧の振幅の中心電位近傍あるいは両電位の中間の電位を与える配線層(12)に電気的に接続させて電位を固定するようにした。
Claim (excerpt):
半導体基板上に反射電極がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、上記反射電極の下方には各画素毎に保持容量を構成する一方の導電層が形成され、この導電層の下方または上方には絶縁膜を介して前記保持容量の他方の端子となる他方の導電層が形成され、上記導電層は上記トランジスタに電気的に接続されるとともに上記他方の導電層には液晶パネルのコモン電位近傍あるいは上記反射電極に印加される電圧の振幅の中心電位近傍あるいは両電位の中間の電位を与える配線層が電気的に接続されていることを特徴とする液晶パネル用基板。
IPC (3):
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
, G09F 9/00 360
FI (3):
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
, G09F 9/00 360
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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特開昭59-142586
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光弁用半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-090349
Applicant:セイコー電子工業株式会社
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液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-324435
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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特開平1-277217
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液晶表示装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-324443
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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アクティブマトリクス基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-286488
Applicant:シャープ株式会社
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特開平3-175430
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液晶ライトバルブ及びそれを用いた投射型ディスプレイ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-252783
Applicant:株式会社日立製作所, 日立プロセスコンピュータエンジニアリング株式会社
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特開昭58-085478
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特開平2-230127
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特開平4-056827
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特開平4-031831
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薄膜トランジスタパネル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-165963
Applicant:カシオ計算機株式会社
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