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J-GLOBAL ID：200903074284533037

電子放出膜及び電界放出型冷陰極デバイス

Inventor： 酒井 忠司 ,  中山 和也 ,  張 利 ,  ゲハン・エー・ジェイ・アマラトゥンガ ,  アイ・アレクサンドロ ,  マーク・バクセンダル ,  エヌ・ルパシング
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000020291
Publication number (International publication number)：2000231871
Application date： Jan. 28, 2000
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】優れた電子放出、機械的強度及び加工特性を有する電子放出膜、同電子放出膜を用いた電界放出型冷陰極デバイスを提供する。【解決手段】電界放出膜はアモルファス炭素から基本的になるマトリックスと、炭素の6員環の2次元的連なりから基本的になるフラーレン様構造とからなる。フラーレン様構造は、マトリックス中に分散されると共にマトリックスから部分的に突出する。アモルファス炭素とフラーレン様構造との重量比は約50:50〜5:95である。アモルファス炭素はドナーとして作用する窒素を約1×1015cm-3〜10原子%の濃度で含有する。

Claim (excerpt)：

アモルファス炭素から基本的になり且つマトリックスを形成する第1部分と、前記マトリックス中に分散されると共に前記マトリックスから部分的に突出する、炭素の6員環の2次元的連なりから基本的になる結晶構造を有する第2部分と、を具備し、前記第1及び第2部分の重量比が約50:50〜5:95であり、且つ前記第1部分がドナーとして作用する不純物を約1×1015cm-3〜10原子%の濃度で含有することを特徴とする電子放出膜。

IPC (3)：

H01J 1/304 ,  C23C 14/06 ,  H01J 9/02

FI (3)：

H01J 1/30 F ,  C23C 14/06 F ,  H01J 9/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 炭素超微粒子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-022091   Applicant：ソニー株式会社
• 電子放出陰極、それを用いた電子放出素子、フラットディスプレイ、及び熱電冷却装置、ならびに電子放出陰極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-255356   Applicant：松下電器産業株式会社
• 電子放出素子用ダイヤモンド部材、その製造方法及び電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-069368   Applicant：住友電気工業株式会社
• 電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-249096   Applicant：株式会社東芝