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J-GLOBAL ID:200903074323214599
窒化物系III-V族化合物半導体装置用電極構造の作製方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000254700
Publication number (International publication number):2002075910
Application date: Aug. 24, 2000
Publication date: Mar. 15, 2002
Summary:
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体装置において、接触抵抗が極めて低く、かつ、経時的変化の少ないオーミック接触を示す電極構造の作製方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板1の上面にAlNバッファ層2及びp型GaN層3が積層された窒化物半導体基板において、窒化物半導体基板を加熱し、p型GaN層3の表面に水素吸収金属を一度堆積後再び除去し、更に、p型GaN層3から水素を減圧排気処理の後、p型GaN層3の表面に水素吸収金属及び窒化物生成エネルギーを負とする金属を堆積したPd/Ti電極4が設けられる。
Claim (excerpt):
窒化物系III-V族化合物半導体層を加熱する加熱工程と、該窒化物系III-V族化合物半導体層の表面に水素吸収金属を堆積する堆積工程と、堆積された水素吸収金属層を該窒化物系III-V族化合物半導体層から除去する除去工程と、次いで、該窒化物系III-V族化合物半導体層から水素を減圧排気処理する排気工程とを、少なくとも1回以上実施する前処理工程と、前処理された該窒化物系III-V族化合物半導体層の表面に水素吸収金属及び窒化物生成エネルギーを負とする金属を堆積する工程と、を包含する窒化物系III-V族化合物半導体装置用電極構造の作製方法。
IPC (4):
H01L 21/28 301
, H01L 21/203
, H01L 33/00
, H01S 5/042 610
FI (5):
H01L 21/28 301 H
, H01L 21/203 S
, H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01S 5/042 610
F-Term (34):
4M104AA04
, 4M104BB07
, 4M104BB13
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD21
, 4M104FF17
, 4M104GG04
, 4M104HH15
, 5F041AA21
, 5F041AA44
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F073CA02
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA23
, 5F073DA24
, 5F073DA35
, 5F103AA08
, 5F103DD28
, 5F103HH03
, 5F103LL01
, 5F103NN05
, 5F103PP11
, 5F103RR05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-104787
Applicant:松下電器産業株式会社
-
電極構造およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-167124
Applicant:シャープ株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-125783
Applicant:富士通株式会社
-
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-357046
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-229082
Applicant:株式会社東芝
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