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J-GLOBAL ID：200903074422753183

埋め込みカーボン・ドーパントを用いた半導体デバイス

Inventor： アンダ・クレイタ・モキュータ ,  デュレセティ・チダンバラオ ,  リカルド・アルベス・ドナトン ,  ケン・リム ,  デービッド・マサラ・オンソンゴ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (4)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007113990
Publication number (International publication number)：2007300103
Application date： Apr. 24, 2007
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：

【課題】 電荷移動度の低下とデバイス性能の低下とをもたらすミスフィット転位の形成を減少させる。【解決手段】 半導体構造体、及び、半導体デバイス、より具体的にはN型FETデバイスを製造する方法である。本デバイスは、構造体におけるミスフィット転位の発生及び伝播を減少させる層間の界面の材料を介して応力誘発層の上に設けられる応力受容層を含む。応力受容層はシリコン(Si)であり、応力誘発層はシリコン・ゲルマニウム(SiGe)であり、材料は、デバイスを形成する間に両層をドープすることによって与えられるカーボンである。カーボンは、SiGe層全体にわたってドープすることもできる。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

半導体構造体を製造する方法であって、 層間の界面を有するように応力誘発層の上に応力受容層を形成するステップと、 前記界面におけるミスフィット転位を減少させるために、前記応力受容層と前記応力誘発層との間の前記界面にカーボン・ドーピングを行うステップと、 を含む方法。

IPC (8)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/786

FI (8)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/80 B ,  H01L27/08 321C ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B

F-Term (65)：

5F048AA07 ,  5F048AA08 ,  5F048AC01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BC15 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD09 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F102FA08 ,  5F102GA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL03 ,  5F102GT08 ,  5F102HC02 ,  5F102HC18 ,  5F110AA07 ,  5F110AA30 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE09 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110HM02 ,  5F110HM20 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ04 ,  5F140AA05 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BB16 ,  5F140BC12 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BK09 ,  5F140BK18 ,  5F140CB04 ,  5F152LL03 ,  5F152LN03 ,  5F152LN08 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN15 ,  5F152NN29 ,  5F152NP02 ,  5F152NP04 ,  5F152NQ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-410659   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体ウェハー、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-071057   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-377603   Applicant：シャープ株式会社