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J-GLOBAL ID：200903074423536194

不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法

Inventor：
金 鐘 和

About 金 鐘 和

, 
金 銀 哲

About 金 銀 哲


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001020604
Publication number (International publication number)：2001229684
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：
【要約】【課題】 プログラム時間を短縮でき、かつメモリセルの特性低下を防止できる不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法を提供すること。【解決手段】 まず、プログラミングプロセスの開始のコマンド信号が入力される時、高電圧発生回路60が動作する。その後、高電圧発生回路60から要求されるレベルの高電圧が生成された後、ビットラインセットアップ動作、プログラム動作、そして検証動作のプログラミングプロセスが反復的に遂行される。
Claim (excerpt)：
行と列のマトリックスの形態に配列された電気的に消去及びプログラム可能なROMセルのアレイ及び前記列を通じて前記アレイに接続されたページバッファ回路を備えた不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法において、順次データ入力の第1コマンド信号に応じてプログラムされるデータを前記ページバッフ回路に順次にロードする段階と、プログラミングプロセスの開始の第2コマンド信号が入力される時、選択された行に供給される高電圧を発生させる段階と、前記高電圧が所定の目標電圧に到達した後、前記プログラミングプロセスを遂行する段階とを含むことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法。
IPC (3)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06
FI (5)：
G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 633 D ,  G11C 17/00 634 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 不揮発性半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-199329   Applicant：株式会社東芝
  • 不揮発性半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-311740   Applicant：株式会社東芝
  • 特開平1-159895
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