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J-GLOBAL ID：200903080483535219

気相成長装置

Inventor：
沼尻 憲二

About 沼尻 憲二


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996246188
Publication number (International publication number)：1998088349
Application date： Sep. 18, 1996
Publication date： Apr. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 長期間安定に原料ガス供給装置を使用できるような気相成長装置を提供する。【解決手段】 次の?@〜?Bを具えた気相成長装置とする。?@内部を真空に保持した状態で基板に対して膜の形成を行う反応室11。?A反応室11に、膜の原料であるガスを供給する原料ガス供給系13。この原料ガス供給系13は、液相の原料を溜めておく原料液収納部13bと、この原料液収納部13bから供給された液相の原料を気化する原料ガス供給装置13aとで少なくとも構成されている。?B原料ガス供給装置13aを洗浄するための洗浄系15。洗浄系15は、例えば洗浄液収納部15aと、高圧不活性ガス導入部15bとを少なくとも具えている。
Claim (excerpt)：
内部を真空に保持した状態で基板に対して膜の形成を行う反応室と、該反応室に前記膜の原料であるガスを供給する原料ガス供給系であって、液相の原料を溜めておく原料液収納部と該原料液収納部から供給された前記液相の原料を気化する原料ガス供給装置とで少なくとも構成される当該原料ガス供給系と、前記原料ガス供給装置を洗浄するための洗浄系とを具えたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (4)：
C23C 16/18 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285
FI (4)：
C23C 16/18 ,  C23C 16/44 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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