GaN系化合物半導体発光素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：根本恵司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998344073
Publication number (International publication number)：2000174335
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】サファイア基板上にGaN系化合物半導体層からなるヘテロ接合層を結晶成長させる場合に、良好な結晶成長を妨げるウェハ(サファイア基板と成長させた結晶層を含む)に生じる反りを抑止し、性能のよい結晶を得るようにすること。【解決手段】n-GaNクラッド層2及びp-AlGaNクラッド層4に挟まれInGaNからなる活性層3を成長させることによりヘテロ構造を形成するが、そのために必要な大きな成長温度の変更がサファイア基板1とクラッド層2の熱膨張差となりウェハの反りを生じる。反りの緩和をはかるため、結晶成長を行う前に半導体結晶が積層されるべきサファイア基板面に溝1gを形成する。溝1gにより熱膨張により生じる伸縮を吸収し、反りの緩和をはかる。溝はダイシング用の溝に共用することができる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上にGaN系化合物半導体からなるヘテロ接合層を結晶成長させる工程を含むGaN系化合物半導体発光素子の製造方法において、結晶成長工程の前処理としてサファイア基板の少なくとも片面に溝を形成する工程を含むことを特徴とするGaN系化合物半導体発光素子の製造方法

F-Term (5)：

5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA75 , 5F041CA76 , 5F041FF01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-279546 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体用単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-092926 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-077818 Applicant：ローム株式会社

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