トレンチ型絶縁ゲート半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999173019
Publication number (International publication number)：2001007326
Application date： Jun. 18, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】トレンチゲートを有する半導体装置において、トレンチ底部の角部における曲率半径Rとゲート絶縁膜の膜厚Tとの比R/Tの値を2.0〜3.5に設定することを最も主要な特徴とする。【解決手段】N型のエピタキシャル層12と、このエピタキシャル層上に形成されたP型ベース層13及びN型ソース層14と、トレンチ16と、トレンチ内周面上に形成されたゲート絶縁膜17と、トレンチ内に埋め込まれたゲート電極18とを具備し、トレンチ底部の角部における曲率半径をR、ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜に換算した膜厚をTとしたときに、R/Tの値が2.0〜3.5の範囲となるようにトレンチ底部の角部における曲率半径Rが設定されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1半導体領域と、上記第1半導体領域上に形成され、上記第1導電型とは反対導電型の第2導電型の第2半導体領域と、上記第2半導体領域上に形成された第1導電型の第3半導体領域と、上記第3半導体領域の表面から上記第1半導体領域に達するように形成されたトレンチと、少なくとも上記トレンチの内周面上に形成されたゲート絶縁膜と、上記トレンチ内に埋め込まれたゲート電極とを具備し、上記トレンチ底部の角部における曲率半径をR、上記ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜に換算した膜厚をTとしたときに、R/Tの値が2.0〜3.5の範囲となるように上記トレンチ底部の角部における曲率半径Rが設定されてなることを特徴とするトレンチ型絶縁ゲート半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 653 C , H01L 29/78 658 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-216538
シリコンに高アスペクト比のトレンチを形成するための新規なエッチング方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-524816 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280961 Applicant：三菱電機株式会社

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