プラズマ生成方法及び装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232801
Publication number (International publication number)：1995085995
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は1011個/cm3以上の高密度プラズマの発生領域を制御し、プラズマチャンバ、壁面のエッチングを防止することである。【構成】マイクロ波をソレノイドコイル13による磁界中に導波管12,導入窓(石英板)14を介してチャンバ20に導入し、その際の磁場分布、電界分布を制御して、マイクロ波の強い吸収を1011個/cm3以上の高密度プラズマにおいてもチャンバ中央部に設定できるようにした。これにより、低圧での高速エッチングを実現するとともに、形状制御性や選択性を高精度で制御することができる。

Claim (excerpt)：

プラズマチャンバの中央部に1011個/cm3以上の高電子密度のプラズマを生成させることを特徴とするプラズマ生成装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 , H01L 21/3065 , G01R 33/64

FI (2)：

H01L 21/302 B , G01N 24/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電子サイクロトロン共鳴プラズマCDV装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-241195 Applicant：三菱重工業株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-048948 Applicant：富士電機株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-031791 Applicant：株式会社日立製作所

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