マスク欠陥修正方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹村壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999068525
Publication number (International publication number)：2000267260
Application date： Mar. 15, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】マスクに形成された凸欠陥部下の透光性基板への集束イオンビームのイオン注入及び凸欠陥周囲部の透光性基板掘り込みが小さく、レーザ照射によるダメージを小さく、且つマスク修正により引き起こされる像強度変動を抑えて充分なウエハプロセス裕度を確保できるマスク欠陥修正方法を提供する。【解決手段】マスク1上に生じたマスクパターン膜3の凸欠陥を修正する工程で、まず凸欠陥を集束イオンビームガスアシストエッチングあるいは集束イオンビームスパッタリングによりエッチングする際、凸欠陥のパターンエッジに接する部分はパターン膜材料をすべて削り、凸欠陥の透光性石英基板2に接する方向はビーム照射領域を凸欠陥領域より広げない範囲に設定し、凸欠陥部下又は凸欠陥周囲部の透光性基板に集束イオンビームが達しない程度にパターン膜を残して凸欠陥薄膜9を形成する。その後薄膜9をレーザ照射で除去する。

Claim (excerpt)：

透光性基板上に遮光膜パターンが形成されたフォトマスク又は位相シフタパターンが形成された位相シフトマスクに生じた凸欠陥を修正する工程において、集束イオンビームガスアシストエッチングあるいは集束イオンビームスパッタリングを用いて、前記凸欠陥の前記遮光膜パターンあるいは前記位相シフタパターンのパターンエッジに接する部分は、パターン膜材料をすべて削り、前記凸欠陥の前記パターンエッジに接する部分以外の領域は、ビーム照射領域を前記パターンエッジに接する部分以外の領域より広げない範囲に設定して前記透光性基板に集束イオンビームが達しない程度にパターン膜材料を残して凸欠陥薄膜を形成し、その後、この凸欠陥薄膜をレーザ照射により除去することを特徴とするマスク欠陥修正方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 , B23K 26/00 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 1/08 V , G03F 1/08 A , B23K 26/00 H , H01L 21/30 502 W

F-Term (6)：

2H095BB03 , 2H095BD32 , 2H095BD34 , 2H095BD35 , 4E068AA00 , 4E068DA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レチクル・マスクの欠陥修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-116580 Applicant：富士通株式会社
凸欠陥部修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-193813 Applicant：大日本印刷株式会社, 三菱電機株式会社
ホトマスクの修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-014998 Applicant：沖電気工業株式会社

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