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J-GLOBAL ID：200903074727428703

金属及び対応する金属珪化物から形成した各ゲートを有する相補形トランジスタ

Inventor： アントニオ エル、ピー、ロトンダロ ,  マーク アール、ヴィソケイ
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001364046
Publication number (International publication number)：2002217313
Application date： Nov. 29, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 従来法の限界及び欠点を解決したトランジスタ形成法及びそれを用いた集積回路を提供する。【解決手段】 半導体表面を与え、前記半導体20表面に隣接したゲート誘電体30を形成し、前記ゲート誘電体に対し固定された関係に金属部分を有する第一トランジスタゲート電極90を形成し、そして前記ゲート誘電体に対し固定された関係に前記金属部分の珪化物を有する第二トランジスタゲート電極を形成する、工程からなる第一及び第二トランジスタを有する複数のトランジスタを形成する方法。

Claim (excerpt)：

第一及び第二トランジスタを有する複数のトランジスタを形成する方法において、半導体表面を与え、前記半導体表面に隣接したゲート誘電体を形成し、前記ゲート誘電体に対し固定された関係にある金属部分を有する第一トランジスタゲート電極を形成し、そして前記ゲート誘電体に対し固定された関係にある前記金属部分の珪化物を有する第二トランジスタゲート電極を形成する、工程からなるトランジスタ形成法。

IPC (5)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43

FI (4)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/62 G

F-Term (21)：

4M104BB04 ,  4M104BB20 ,  4M104CC05 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD94 ,  4M104DD95 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048DA25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-124405   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-045923
  
• MOSFET及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-165000   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-068332   Applicant：株式会社東芝, 加賀東芝エレクトロニクス株式会社