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J-GLOBAL ID：200903074743756419

光電変換素子、該素子の製造方法および多孔性酸化チタン半導体電極

Inventor：
柳澤 匡浩

About 柳澤 匡浩


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000001950
Publication number (International publication number)：2001196104
Application date： Jan. 07, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 従来の光電変換素子に比較して、より高い光電変換効率の光電変換素子、該素子の製造方法、および多孔性酸化チタン半導体電極の提供を目的とする。【解決手段】1.多孔性酸化チタン半導体電極とその表面に吸着した色素と酸化還元対を有する電解液5と対向電極6とからなる光電変換素子において、多孔性酸化チタン半導体電極3を構成する酸化チタンが、少なくても2種類の異なる平均一次粒径の混合物であることを特徴とする光電変換素子。2.多孔性酸化チタン半導体電極を構成する酸化チタンの一次粒径の分布が二つの極大を持つように少なくとも2種類の異なる平均一次粒径の酸化チタンを混合して塗布液を調整し、該塗布液を基板に塗布した後焼成し、多孔性酸化チタン薄膜を作製することを特徴とする光電変換素子の製造方法。3.2種類の異なる平均一次粒径の混合物を含有して構成されることを特徴とする光電変換素子用多孔性酸化チタン半導体電極。
Claim (excerpt)：
多孔性酸化チタン半導体電極とその表面に吸着した色素と酸化還元対を有する電解液と対向電極とからなる光電変換素子において、多孔性酸化チタン半導体電極を構成する酸化チタンが一次粒径の分布において二つの極大値を持つものであることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (8)：
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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