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J-GLOBAL ID：200903074816930013

スパッタリングターゲット及びそれを利用した導電膜の製造方法及びその製造方法で成膜した透明導電膜

Inventor：
井上 一吉

About 井上 一吉


Applicant, Patent owner：
出光興産株式会社

About 出光興産株式会社


Agent (1)： 伊藤 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002180897
Publication number (International publication number)：2004030934
Application date： Jun. 21, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：
【課題】スパッタリングターゲット表面にノジュールが発生せず、スパッタリング成膜によって得られた非晶質導電膜の抵抗値を小さくできるようなスパッタリングターゲットを用いて低抵抗の非晶質導電膜を提供することである。【解決手段】金属のターゲット12を、金属酸化物のターゲット10上に配置し、単一のスパッタリングターゲット14を構成させる。このスパッタリングターゲット14を用いて、スパッタリング法によって非晶質透明導電膜を成膜する。その結果、金属の酸素引き抜き効果によって、キャリヤーを増やすことができ、非晶質導電膜の低抵抗化を図ることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
金属酸化物の部位と、金属の部位からなるスパッタリングターゲット。
IPC (6)：
H01B13/00 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28
FI (6)：
H01B13/00 503B ,  C23C14/34 A ,  H01B5/14 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28
F-Term (17)：
3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029BA45 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC15 ,  4K029EA03 ,  4K029GA01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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