半導体発光素子およびその製法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118073
Publication number (International publication number)：1998270761
Application date： May. 08, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体を積層する基板を非常に薄くするか、もしくはなくすることにより、LEDチップの厚さを薄くし、薄型化した半導体発光素子およびそれを製造する方法を提供する。【解決手段】発光層を形成すべく半導体層3、4、5が積層される発光素子チップ30を有し、前記発光素子チップの前記半導体層が積層される方向の厚さが50μm以下に形成されている。チップ型発光素子とする場合は、両端部に端子電極32、33が設けられた絶縁性基板31と、該絶縁性基板上にマウントされると共に一方の電極(n側電極9)が前記端子電極の一方32と電気的に接続される発光素子チップ30と、該発光素子チップの他方の電極(p側電極8)を前記端子電極の他方33と電気的に接続するワイヤ34と、前記発光素子チップの周囲を被覆する樹脂パッケージ35からなっている。

Claim (excerpt)：

発光層を形成すべく半導体層が積層される発光素子チップを有する半導体発光素子であって、前記発光素子チップの前記半導体層が積層される方向の厚さが50μm以下である半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 23/12

FI (3)：

H01L 33/00 N , H01L 33/00 C , H01L 23/12 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

光素子実装体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-174073 Applicant：松下電器産業株式会社
発光ダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-164818 Applicant：日立電線株式会社
チップ型発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-186984 Applicant：ローム株式会社

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