半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997001781
Publication number (International publication number)：1998200102
Application date： Jan. 09, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】チップ面積の増大を極力抑えた逆電流を通電できる横型IGBTを提供すること。【解決手段】誘電体分離基板123の第2半導体基板3にpウェル領域4を形成し、pウェル領域4と離してnバッファ領域7を形成する。pウェル領域4の表面層にn+ エミッタ領域6を形成し、さらにp+ コンタクト領域5を形成し、nバッファ領域7の表面層にp+ コレクタ領域8を形成する。また同一の素子形成領域の第2半導体基板3の表面層にpウェル領域4と離してn拡散領域9およびp拡散領域11を形成し、n拡散領域9の表面層にn+ カソード領域10を形成し、p拡散領域11にはp+ アノード領域12を形成する。但し、横型IGBTのn+ エミッタ領域6と横型ダイオードが隣接する領域では、横型IGBTのp+ コンタクト領域5が横型ダイオードのp+ アノード領域12を兼ねている。さらに、エミッタ端子Eとアノード端子Aとを接続し、コレクタ端子Cとカソード端子Kとを接続する。

Claim (excerpt)：

第1導電形もしくは第2導電形のいずれかの第1半導体基板と第1導電形の第2半導体基板とが第1酸化膜を介して貼り合わされた貼り合わせ基板で、第1酸化膜に達する溝が第2半導体基板に形成され、該溝の表面が第2酸化膜で被覆され、該溝が多結晶半導体で充填され、該溝によって第2半導体基板が複数個の素子形成領域に分割される誘電体分離基板において、同一の素子形成領域内に少なくとも横型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと横型ダイオードとが形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 21/762 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 27/12

FI (7)：

H01L 29/78 656 B , H01L 27/12 Z , H01L 21/76 D , H01L 27/06 101 D , H01L 29/78 301 J , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 655 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

少なくとも1個のIGBTを有する集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-067233 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開昭55-140439
特開平3-042431

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